类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：71A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(ON))：最大 4.5mΩ（典型值 3.5mΩ）
　　功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-220

SKN71/04UNF 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，其核心特性在于其低导通电阻和高电流处理能力。RDS(ON) 的典型值仅为 3.5mΩ，这使得该器件在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提升系统效率。此外，其额定连续漏极电流高达 71A，在 TO-220 封装中表现出色，适用于需要高功率密度的设计。
　　该器件还具有良好的热稳定性和较高的耐压能力。漏源电压 VDS 为 40V，能够应对大多数低压功率转换应用，例如 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理和电池充电系统。其栅源电压 VGS 为 ±20V，使得该器件能够与多种驱动电路兼容，同时具备一定的过压保护能力。
　　TO-220 封装提供了良好的散热性能，适用于自然冷却或带有散热片的应用环境。SKN71/04UNF 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应了工业级和汽车级工作条件，提高了器件在恶劣环境中的可靠性。
　　该 MOSFET 还具备快速开关能力，适合用于高频开关电源和同步整流器等应用。其内部结构优化了开关损耗，有助于提高整体能效，同时减少发热问题。

SKN71/04UNF 适用于多种高功率电子设备，包括但不限于：
　　- DC-DC 转换器：在升压、降压或升降压拓扑中作为主开关器件，实现高效率的电压转换。
　　- 电机控制电路：用于电动工具、工业电机驱动器和电动车控制系统中，提供高效、可靠的功率控制。
　　- 电源管理系统：在电池供电设备中用于负载切换、过流保护和能量管理。
　　- 电源适配器和充电器：用于开关电源设计，提升能效并减少热量产生。
　　- 工业自动化设备：作为功率开关用于控制各种负载，如继电器、电磁阀和加热元件。

IRF3710, IPW90R045C3, FDP71N04