时间：2025/8/1 22:24:21
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CS9N90ANHD 是一款高性能、低功耗的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件由COSMO SEMICONDUCTOR制造，具备高耐压、高电流承载能力和低导通电阻的特点，适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统以及负载开关等应用。CS9N90ANHD采用先进的沟槽式技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，从而提高了整体效率。该器件封装为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，适合中高功率应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：900V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：12A（在TC=25℃）
脉冲漏极电流（IDM）：48A
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.75Ω（最大值0.9Ω）
栅极电荷（Qg）：34nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1100pF（典型值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
CS9N90ANHD具备多项优异的电气和热性能，适用于多种功率电子系统设计。其高耐压能力（900V VDS）使其在高压应用中具有良好的稳定性和可靠性。该器件的导通电阻较低，在满载工作条件下可显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，CS9N90ANHD具有快速开关特性，其栅极电荷（Qg）仅为34nC，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升整体性能。器件的输入电容较低（1100pF），有助于加快开关速度并减少驱动电路的负担。CS9N90ANHD采用TO-252封装，具备良好的散热性能，能够在较高的环境温度下稳定运行。该器件还具有良好的热稳定性，可在较宽的温度范围内正常工作。此外，CS9N90ANHD符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计需求。
CS9N90ANHD广泛应用于多种功率电子设备中，特别是在需要高耐压和高效能的场合。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其低导通电阻和快速开关特性，CS9N90ANHD在电源转换系统中可有效提高转换效率并降低发热。此外，该器件也可用于LED照明驱动、家用电器中的电源控制模块以及新能源系统中的功率变换电路。
建议替代型号：STP12NM90N、FQP12N90C、IRF840、SiHP09N90C
