类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：260A
　　连续漏极电流（Id）@100°C：164A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：1.3mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：2.2mΩ
　　功耗（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 HV

SKN6000/02N MOSFET采用了STMicroelectronics的先进F7技术，具有以下显著特性：
　　首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）在1.3mΩ（Vgs=10V）和2.2mΩ（Vgs=4.5V）之间，这大大降低了导通损耗，使得在高电流应用中也能保持较高的效率。该特性尤其适用于需要高功率密度和低功耗的电源系统。
　　其次，该器件支持高达260A的连续漏极电流（在25°C下），在高温环境下（100°C）仍能提供164A的电流能力，展现了优异的电流承载能力和热稳定性。这对于高负载应用如电机驱动、工业电源和电池管理系统至关重要。
　　此外，SKN6000/02N采用PowerFLAT 5x6 HV封装，具有良好的热管理和小型化设计，适用于空间受限的高密度PCB布局。该封装还具备优异的散热性能，有助于降低系统温度，提高整体可靠性。
　　最后，该MOSFET支持宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C），适用于严苛的工业和汽车环境。同时，±20V的栅极电压耐受能力提升了器件在高频开关应用中的稳定性，减少了栅极驱动电路的设计复杂度。

SKN6000/02N MOSFET广泛应用于多种高功率和高效率要求的电子系统中。在电源管理领域，该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，提供高效的能量转换和低损耗的导通路径。在电机控制和工业自动化设备中，SKN6000/02N可用于H桥驱动、电机调速和方向控制，其高电流能力和低导通电阻使其能够承受较大的瞬态负载。
　　此外，该器件适用于电池管理系统（BMS），特别是在电动工具、电动汽车和储能系统中，作为主开关或充电/放电控制开关使用。其优异的热性能和可靠性有助于提升系统的整体稳定性和寿命。
　　SKN6000/02N还可用于高功率LED驱动器、逆变器、服务器电源和电信设备中的功率级设计，满足高性能电源管理需求。

STL600V2N3LLH6A, SKN5000/02N, IPW60R020C7, STD260N6F7AG