类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：200V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　漏极电流 Id（连续）：42A
　　导通电阻 Rds(on)：最大 85mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散 Pd：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247

SKN420F20 具有多个关键特性，使其在高性能功率电子系统中表现出色。首先，其低导通电阻 Rds(on) 可显著降低导通损耗，提高系统效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 最大为 85mΩ，这使得该 MOSFET 在高电流应用中依然保持较低的功率损耗。
　　其次，该器件的漏源电压 Vds 高达 200V，漏极电流额定值为 42A，具备较高的功率处理能力，适用于中高功率的开关电源和 DC-DC 转换器。此外，其最大功率耗散能力为 200W，有助于在高负载条件下维持稳定运行。
　　SKN420F20 还具备优良的热稳定性，其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，能够在严苛的环境条件下保持可靠的性能。该 MOSFET 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，便于安装和使用。
　　此外，该器件的栅源电压容限为 ±20V，具备较强的抗过压能力，减少了栅极驱动电路设计的复杂性。其快速开关特性也有助于降低开关损耗，提高系统的整体效率。

SKN420F20 主要应用于需要高功率和高效能的电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，该 MOSFET 可作为主开关器件，用于高效的 DC-AC 或 DC-DC 转换。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高频开关应用的理想选择。
　　在电机控制和驱动电路中，SKN420F20 可用于 H 桥拓扑结构，实现对直流电机或无刷电机的高效控制。其高耐压和高电流能力使其适用于大功率电机驱动器。
　　此外，该器件还广泛用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的热稳定性和高可靠性，SKN420F20 也适用于需要长时间稳定运行的工业级应用。

STP420N20T, FDP420N20TF, IRFP4227PBF