IXTH20N50D 时间：2025/7/23 6:20:25 阅读：4

IXTH20N50D是一款由Littelfuse（原IXYS公司）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等领域。IXTH20N50D采用TO-247封装，便于散热并适用于高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：20A（在Tc=100℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：0.23Ω（最大值，Vgs=10V）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-247

特性

IXTH20N50D具备多项优良特性，适用于高要求的功率电子系统。首先，其500V的漏源电压额定值使其适用于高电压应用，如AC-DC转换器和高压电源系统。20A的连续漏极电流能力确保其在高功率密度设计中具有良好的表现。
　　该MOSFET的导通电阻Rds(on)最大为0.23Ω，在Vgs=10V条件下，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其200W的功耗能力结合TO-247封装良好的散热性能，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　器件具有快速开关特性，适用于高频开关应用，同时具备低栅极电荷（Qg）特性，有助于减少驱动损耗。其栅源电压额定值为±20V，允许使用标准MOSFET驱动器进行控制。
　　IXTH20N50D还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，增强了器件在极端工作条件下的可靠性。适用于工业控制、电动汽车充电器、光伏逆变器、不间断电源（UPS）等对可靠性和效率要求较高的系统。

应用

IXTH20N50D广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及太阳能逆变器等。由于其高电压和高电流能力，该器件特别适合用于高压直流电源转换系统，如服务器电源、通信设备电源以及工业自动化设备中的功率模块。
　　此外，IXTH20N50D也适用于高频谐振转换器和LLC变换器拓扑结构，能够在高效率和高频率下稳定运行。其出色的热性能和耐用性也使其成为电动汽车充电设备、储能系统以及智能电网相关应用的理想选择。
　　在电机驱动方面，该MOSFET可用于H桥电路和PWM控制，提供高效、快速的开关响应。同时，其抗雪崩特性使其在可能出现过压或短路的应用中具有更高的可靠性。