SKN26/14UNF 时间：2025/8/23 6:10:09 阅读：17

SKN26/14UNF 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率的电源转换系统设计，广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、照明设备以及电机控制等应用领域。该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于中高功率的应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：260V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id：14A
　　导通电阻 Rds(on)：0.23Ω @ Vgs=10V
　　栅极电荷 Qg：34nC
　　功率耗散 Pd：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

SKN26/14UNF 的主要特性之一是其较低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件具备较高的耐压能力，最大漏源电压可达 260V，使其适用于多种中高压电源应用。
　　SKN26/14UNF 还具有良好的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下可靠运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的场景。
　　该 MOSFET 的栅极驱动特性优化，具有较低的输入电容和栅极电荷，支持高频开关操作，适用于诸如同步整流、高频变换器等应用场景。
　　同时，其 TO-220 封装便于安装和散热管理，适用于多种标准电路板布局设计。

应用

SKN26/14UNF 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、工业电机驱动、电池管理系统（BMS）、LED 照明电源、电焊设备以及家用电器中的功率控制模块。
　　由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适合用于需要中高功率处理能力的电路设计中。
　　此外，在汽车电子系统中，如车载充电器、电动工具和辅助电源模块中，该 MOSFET 也表现出良好的稳定性和适应性。