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GA1206A270GXEBP31G 发布时间 时间:2025/5/28 10:00:08 查看 阅读:9

GA1206A270GXEBP31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  此型号属于沟道增强型MOSFET系列,适用于需要高频切换或大电流承载能力的场景。其封装形式经过优化设计,确保了良好的散热性能与电气连接可靠性。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻:27mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关频率:高达500kHz
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

GA1206A270GXEBP31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可减少导通损耗,提高整体能效。
  2. 高速开关能力,支持高频应用场合。
  3. 内置ESD保护功能,增强了器件的抗静电能力。
  4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定运行。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间,便于集成到紧凑型设备中。
  6. 宽泛的工作温度区间,适合工业级及汽车级应用需求。

应用

这款功率MOSFET广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC/DC转换器的核心组件,用于调节输出电压。
  3. 电机驱动电路中的功率开关元件。
  4. LED照明系统的恒流控制模块。
  5. 各类负载开关和保护电路中作为关键执行部件。
  6. 汽车电子系统中的电源管理和信号切换部分。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  AO3400

GA1206A270GXEBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容27 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-