MTP50P03HDLG是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够在高频工作条件下保持高效能表现。
其封装形式为TO-263(D2PAK),适合表面贴装工艺,同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:50A
导通电阻:4.5mΩ(典型值)
总栅极电荷:38nC(典型值)
输入电容:1780pF(典型值)
输出电容:930pF(典型值)
反向恢复时间:40ns(典型值)
工作结温范围:-55℃至+150℃
MTP50P03HDLG具有以下主要特性:
1. 低导通电阻,可有效降低功率损耗,提高系统效率。
2. 高击穿电压,确保在高压环境下稳定运行。
3. 快速开关速度,支持高频应用,减少开关损耗。
4. 小巧的TO-263封装设计,适合紧凑型电路布局,并且兼容表面贴装技术。
5. 良好的热稳定性,可在较宽的工作温度范围内保持性能一致。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
该功率MOSFET适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率切换模块。
6. 汽车电子系统中的大电流开关元件。
IRF540N
STP50NF06L
FDP5020N
IXYS5N40G