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MTP50P03HDLG 发布时间 时间:2025/5/31 1:30:08 查看 阅读:7

MTP50P03HDLG是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够在高频工作条件下保持高效能表现。
  其封装形式为TO-263(D2PAK),适合表面贴装工艺,同时具备良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:4.5mΩ(典型值)
  总栅极电荷:38nC(典型值)
  输入电容:1780pF(典型值)
  输出电容:930pF(典型值)
  反向恢复时间:40ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

MTP50P03HDLG具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻,可有效降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 高击穿电压,确保在高压环境下稳定运行。
  3. 快速开关速度,支持高频应用,减少开关损耗。
  4. 小巧的TO-263封装设计,适合紧凑型电路布局,并且兼容表面贴装技术。
  5. 良好的热稳定性,可在较宽的工作温度范围内保持性能一致。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

该功率MOSFET适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率级开关。
  3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  5. 工业自动化设备中的功率切换模块。
  6. 汽车电子系统中的大电流开关元件。

替代型号

IRF540N
  STP50NF06L
  FDP5020N
  IXYS5N40G

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MTP50P03HDLG参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 25A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4900pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称MTP50P03HDLGOS