SKN240/04UNF 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款晶体管专为高效率电源管理和开关应用而设计,具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性,适用于多种高功率电子设备。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(VDS):40V
最大漏极电流(ID):100A
导通电阻(RDS(on)):最大 2.4 mΩ(在 VGS=10V)
最大栅源电压(VGS):±20V
最大功耗(Ptot):160W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-247
SKN240/04UNF 的主要特性之一是其极低的导通电阻,仅为 2.4 mΩ,这有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。该器件采用先进的功率 MOSFET 技术制造,具有优异的热稳定性和可靠性,能够在高电流和高温度环境下稳定工作。
该 MOSFET 具有较高的电流承载能力,最大漏极电流可达 100A,使其适用于高功率应用。此外,其最大漏源电压为 40V,适合中等电压电源转换器和电机控制电路使用。SKN240/04UNF 的封装形式为 TO-247,这种封装提供了良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。
其栅源电压范围为 ±20V,确保在各种驱动条件下都能安全工作。同时,该器件具有良好的开关性能,能够实现快速导通和关断,减少开关损耗,提高整体系统效率。此外,其宽广的工作温度范围(-55°C 至 +175°C)使其适用于各种恶劣环境条件下的应用,如汽车电子、工业自动化和电力电子设备。
SKN240/04UNF 适用于多种高功率电子系统,包括但不限于:
1. 直流-直流转换器(DC-DC Converters):在升压(Boost)和降压(Buck)转换器中作为主开关元件,提高转换效率。
2. 电机驱动和控制:用于电机控制电路中,提供高电流开关能力,适用于电动车、工业电机和机器人控制。
3. 电源管理系统:在高功率电源管理系统中用于负载切换和电源分配。
4. 逆变器和不间断电源(UPS):用于逆变器和 UPS 系统中,实现高效的能量转换。
5. 汽车电子:适用于汽车中的各种功率控制应用,如电动助力转向系统(EPS)、电池管理系统(BMS)等。
6. 工业自动化设备:在自动化生产线和工业控制系统中作为功率开关使用。
IPW60R045C6, FDP100N40