SKN20/06UNF 时间：2025/8/23 2:13:36 阅读：27

SKN20/06UNF 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效功率控制的电子设备中。该器件设计用于在高电压和高电流条件下提供优异的性能，适用于多种电源管理应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω
　　栅极电荷（Qg）：55nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

SKN20/06UNF MOSFET 提供高耐压和大电流能力，使其能够在高功率条件下稳定运行。该器件的导通电阻较低，有助于降低功率损耗并提高系统效率。此外，其栅极电荷较低，能够加快开关速度，减少开关损耗，从而提高整体性能。
　　这款 MOSFET 还具备出色的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下正常工作。其 TO-220 封装提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持较低的结温。SKN20/06UNF 的设计优化了开关特性和导通性能，适用于需要快速切换和高效率的功率转换应用。
　　该器件还具有较强的抗过载能力和短路保护性能，确保在极端工作条件下的稳定运行。此外，其封装设计符合 RoHS 标准，适用于环保型电子设备制造。