时间：2025/8/23 2:13:36
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SKN20/06UNF 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效功率控制的电子设备中。该器件设计用于在高电压和高电流条件下提供优异的性能，适用于多种电源管理应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）：20A
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω
栅极电荷（Qg）：55nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
SKN20/06UNF MOSFET 提供高耐压和大电流能力，使其能够在高功率条件下稳定运行。该器件的导通电阻较低，有助于降低功率损耗并提高系统效率。此外，其栅极电荷较低，能够加快开关速度，减少开关损耗，从而提高整体性能。
这款 MOSFET 还具备出色的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下正常工作。其 TO-220 封装提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持较低的结温。SKN20/06UNF 的设计优化了开关特性和导通性能，适用于需要快速切换和高效率的功率转换应用。
该器件还具有较强的抗过载能力和短路保护性能，确保在极端工作条件下的稳定运行。此外，其封装设计符合 RoHS 标准，适用于环保型电子设备制造。
SKN20/06UNF MOSFET 主要用于各种功率电子设备，包括电源适配器、DC-DC 转换器、电机控制器、逆变器以及工业自动化设备中的开关电源模块。此外，它也适用于家用电器、UPS（不间断电源）和 LED 照明驱动器等需要高效功率管理的应用场景。
STP20N60M5, FQA20N60, IRFGB40N60
