SKMD40F06是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高效率的功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术,具备较低的导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,使其在高频开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等领域表现出色。SKMD40F06具有高耐压、大电流承载能力以及良好的热稳定性,适合用于对功率密度和效率要求较高的电子设备中。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(VDSS):60V
最大漏极电流(ID):40A(在25°C时)
导通电阻(Rds(on)):最大2.7mΩ(典型值为2.2mΩ)
栅极电荷(Qg):约75nC(在10V驱动电压下)
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-247
最大功率耗散:约200W(取决于散热条件)
SKMD40F06采用东芝先进的U-MOS VI技术制造,具有极低的导通电阻和出色的开关性能。其低Rds(on)特性有助于降低导通损耗,提高电源转换效率;而优化的栅极设计减少了开关损耗,使该器件在高频应用中表现尤为出色。
此外,SKMD40F06具备良好的热管理能力,能够在高温环境下稳定工作。其高耐压特性(60V)确保了在各种功率变换电路中具备足够的安全裕量。该器件还具有优异的雪崩能量耐受能力,提升了系统在异常工况下的可靠性。
TO-247封装形式具备良好的散热性能,适用于需要高功率处理能力的电路。SKMD40F06广泛用于同步整流、DC-DC转换器、电机驱动、电池充电器以及各类工业电源系统中。
SKMD40F06适用于多种高功率电子系统,包括但不限于:
? 高频开关电源(SMPS)
? DC-DC升压/降压转换器
? 同步整流器
? 电机控制器
? 电池管理系统(BMS)
? 工业自动化设备
? 不间断电源(UPS)
? 逆变器和电源转换模块
该器件特别适合对效率、热管理和功率密度有较高要求的应用场景。
TK40E06K,TMOSFET N-CH 60V 40A TO-247