SKM300GAL126D 是一款由 SEMIKRON(赛米控)生产的高性能 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于高功率电力电子系统中,如变频器、电机驱动、可再生能源系统和工业自动化设备。该模块集成了多个 IGBT 芯片和反并联二极管,具有高可靠性、低导通压降和低开关损耗等特点。
类型:IGBT模块
额定集电极-发射极电压(Vce):1200V
额定集电极电流(Ic):300A
工作温度范围:-40°C ~ +150°C
短路耐受能力:10μs @ 150°C
封装形式:SKiiP 3
绝缘等级:Class 1
最大结温(Tj):150°C
栅极驱动电压范围:-15V ~ +20V
SKM300GAL126D 拥有先进的 IGBT 芯片技术,采用了沟槽栅极结构和优化的载流子分布设计,显著降低了导通压降和开关损耗。模块内部集成了多个 IGBT 单元并联工作,提升了整体电流承载能力和热稳定性。其高短路耐受能力使其在高过载条件下仍能保持稳定运行。
该模块具备良好的热管理性能,采用高性能陶瓷基板(DCB)和优化的散热结构,确保模块在高功率密度应用中具备优异的散热能力。此外,SKM300GAL126D 采用了 SEMIKRON 独特的 SKiiP 封装技术,具备高度集成的驱动接口和保护功能,简化了系统设计并提高了整体可靠性。
在绝缘性能方面,SKM300GAL126D 符合国际标准 IEC 60191 和 IEC 60664,具备优良的电气隔离能力和抗干扰性能,适用于恶劣工业环境。模块还支持多种冷却方式,包括风冷和水冷,适应不同应用场景的需求。
SKM300GAL126D 主要应用于中高功率的电力电子变换系统,如工业变频器、伺服驱动器、电焊机、UPS(不间断电源)、可再生能源系统(如风力发电变流器和光伏逆变器)以及轨道交通牵引系统。由于其优异的电气性能和热稳定性,该模块也常用于需要高可靠性和高效率的电动汽车充电设备和储能系统中。
SKM300GB126D, SKM200GAL126D