类型：IGBT模块
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：200A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　短路耐受能力：有
　　导通压降（VCE_sat）：约2.1V（典型值）
　　最大功耗：根据散热条件而定
　　封装尺寸：符合行业标准，便于安装和替换

SKM200GM12T4具备多项优良特性，确保其在高要求应用中的稳定性和高效性。
　　首先，该模块的IGBT芯片采用了先进的沟槽栅技术和场截止设计，显著降低了导通压降和开关损耗，同时提高了短路耐受能力，使其在高功率密度应用中表现出色。
　　其次，集成的快速恢复二极管具有较低的反向恢复损耗和较高的可靠性，适用于高频工作环境。这有助于减少系统的整体损耗，并提高能量转换效率。
　　此外，该模块采用了优化的封装技术，确保了良好的热管理和机械稳定性。其双列直插式封装设计便于安装和更换，同时提供了良好的电气绝缘性能，适用于多种工业环境。
　　最后，SKM200GM12T4还具备优异的过载和短路保护能力，能够在异常工作条件下保护模块免受损坏，延长设备的使用寿命。

SKM200GM12T4广泛应用于多个领域，主要包括：
　　在工业自动化领域，该模块常用于变频器和伺服驱动器中，为交流电机提供高效的功率控制，实现精确的速度和位置调节。
　　在可再生能源系统中，如光伏逆变器和风力发电变流器，该模块用于将直流电转换为交流电并馈入电网，其高效能特性有助于提高系统的整体能源利用率。
　　在电力电子变换设备中，例如不间断电源（UPS）和电能质量调节装置，SKM200GM12T4用于实现高效的电能转换和稳定供电，确保关键负载的持续运行。
　　此外，该模块还适用于电动汽车充电设备、电焊机和感应加热装置等高功率应用，提供可靠的功率开关解决方案。

SKM200GB12T4, SKM200GB17T4, SKM150GB12T4