SKM200GAR128D是一款由SEMIKRON(西门康)制造的IGBT模块,广泛用于电力电子应用中,如变频器、电机驱动和可再生能源系统。该模块集成了IGBT芯片和反向并联的二极管,具有高效率和可靠性。
型号:SKM200GAR128D
制造商:SEMIKRON
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):200A
工作温度范围:-40°C至+150°C
封装类型:双列直插式封装(DIP)
短路耐受能力:6μs
导通压降(VCE_sat):约2.1V(典型值)
反向恢复时间(trr):约2.5μs
绝缘等级:符合UL认证标准
SKM200GAR128D IGBT模块采用了先进的沟槽栅场截止(Trench Field Stop)技术,提供较低的导通损耗和开关损耗,提高了整体能效。其内部集成了快速恢复二极管,适用于高频开关应用。模块采用双列直插式封装(DIP),具有良好的热性能和机械稳定性,适合在恶劣环境下工作。该模块还具备较强的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的电流冲击,从而提高了系统的可靠性。SKM200GAR128D通过了UL认证,符合国际安全标准,确保在各种工业应用中的稳定运行。
SKM200GAR128D广泛应用于工业电机驱动、变频器、UPS不间断电源、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等电力电子设备中。其高可靠性和优异的热性能使其成为高功率密度设计的理想选择。
SKM200GB128D, SKM150GB128D