时间：2025/6/14 16:26:09
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CGA3E2NP01H562J080AA 是一款由 Rohm 公司生产的高效能功率 MOSFET 芯片，专为高频开关应用设计。该芯片采用先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力等特点。它广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动器以及各种需要高效能功率转换的场景中。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：80A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：95nC
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
CGA3E2NP01H562J080AA 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关速度，适合高频开关应用。
3. 高耐压能力，能够承受高达 650V 的漏源电压。
4. 强大的电流处理能力，支持连续漏极电流达 80A。
5. 热性能优异，能够在极端温度条件下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这些特点使该芯片成为工业和汽车领域中高性能功率转换的理想选择。
CGA3E2NP01H562J080AA 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. DC-DC 转换器和逆变器。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 太阳能逆变器和储能系统。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的负载切换和电池保护。
其卓越的性能使其在高功率密度和高效率需求的应用中表现尤为突出。
CGA3E2NP01H562J080BA
