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SKM195GB063DN 发布时间 时间:2025/8/23 17:14:28 查看 阅读:24

SKM195GB063DN是一款由SEMIKRON(西门康)制造的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于高功率电子设备中。该模块集成了多个IGBT芯片和反向并联的二极管,采用双列直插式封装(DIP)形式,具备高电流承载能力和低导通压降的特点。该模块的额定集电极电流为195A,最大集射极电压为600V,适用于电机控制、工业变频器、电源转换等高功率应用领域。

参数

模块类型:IGBT模块
  型号:SKM195GB063DN
  制造商:SEMIKRON
  集电极-发射极最大电压(VCES):600V
  额定集电极电流(IC):195A
  短路电流(ICSC):380A(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:双列直插式(DIP)
  安装方式:螺钉安装
  热阻(RthJC):约0.27°C/W(典型值)
  二极管反向恢复时间(trr):约150ns
  IGBT导通压降(VCEsat):约2.1V(在IC=195A时)

特性

SKM195GB063DN模块采用了SEMIKRON先进的IGBT4芯片技术,具有优异的开关性能和导通损耗平衡。其主要特性包括:
  ? 高电流承载能力:该模块可承受高达195A的连续集电极电流,并具备较高的短路耐受能力,适用于高功率密度设计。
  ? 低导通压降:在额定电流下,IGBT的导通压降约为2.1V,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  ? 优化的开关特性:模块内部的IGBT芯片采用了优化的栅极结构,使其具备快速且可控的开关过程,减少开关损耗。
  ? 集成续流二极管:模块内集成了高性能的反向并联二极管,具有低反向恢复时间和低损耗特性,适用于高频开关应用。
  ? 高可靠性设计:采用高强度绝缘材料和封装技术,确保模块在恶劣工作环境下仍具有良好的稳定性和长寿命。
  ? 优良的热管理性能:模块的热阻较低,约为0.27°C/W,有助于提高散热效率,降低整体系统的热设计难度。
  ? 多重保护机制:具备过热、过流和短路保护能力,确保模块在异常工况下的安全运行。

应用

SKM195GB063DN广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中,包括:
  ? 工业变频器:用于交流电机的变频调速控制,广泛应用于自动化生产线、电梯控制、风机水泵调节等场景。
  ? 不间断电源(UPS):在UPS系统中作为DC-AC逆变器的核心开关元件,确保电力中断时的无缝切换。
  ? 焊接设备:用于逆变式焊接电源,提供高效稳定的电弧控制。
  ? 太阳能逆变器:在光伏系统中将直流电转换为交流电并馈入电网,具备高转换效率和稳定性。
  ? 电动汽车充电设备:用于大功率直流充电桩的功率转换模块,支持快速充电。
  ? 电能质量调节设备:如有源滤波器(APF)和动态电压调节器(DVR),用于改善电网电能质量。

替代型号

SKM200GB063DE, SKM150GB063DN, SKM195GB123DE

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