时间：2025/9/14 21:18:44
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PSMN7R0-60YS,115是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）生产的增强型功率MOSFET器件。该器件采用TISON（小型双侧散热DFN封装），具有优异的热性能和电气性能，适用于中高功率应用。该MOSFET为N沟道结构，具有较低的导通电阻（Rds(on)），可在较高电流条件下实现较低的功率损耗。其额定电压为60V，适合用于电池管理系统、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用场景。PSMN7R0-60YS,115的设计兼顾了高效能和紧凑性，适合现代电子设备对空间和能效的高要求。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：70A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：7mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：80W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：TISON（DFN1010D-8）
PSMN7R0-60YS,115具有多项优良的电气和热特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，该器件采用了先进的沟槽技术，使其导通电阻（Rds(on)）非常低，典型值仅为7mΩ，从而显著降低了导通损耗。其次，该MOSFET具备较高的电流处理能力，能够在高温度条件下维持稳定的性能。此外，其TISON封装设计支持双侧散热，有效提高了热传导效率，使器件在高负载工作状态下仍能保持较低的温度。PSMN7R0-60YS,115还具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压和过电流的冲击，提高系统的可靠性和稳定性。该器件的栅极设计优化了开关性能，减少了开关损耗，同时具备良好的抗干扰能力，适用于高频开关应用。此外，其宽泛的工作温度范围（-55℃至+175℃）使其能够在极端环境下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子等多种应用领域。
PSMN7R0-60YS,115适用于多种中高功率电子系统。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、电源管理模块以及各类工业自动化设备。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件在便携式设备和高能效电源系统中也具有广泛的应用前景。
PSMN7R0-60YLC,115 / PSMN6R8-60YS,115 / PSMN7R0-60YLC,115
