模块类型：IGBT模块
　　额定集电极电流（IC）：145A
　　最大集射极电压（VCES）：1200V
　　最大工作温度：150°C
　　栅极驱动电压：±15V（典型）
　　短路耐受能力：典型5μs
　　导通压降：约1.55V（IC=145A时）
　　反向恢复时间（trr）：约0.9μs
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　热阻（Rth）：芯片至基板热阻约为0.26K/W
　　安装方式：螺钉安装
　　符合标准：RoHS、UL、IEC

SKM145GB128DM1具有多项先进的技术特性，确保其在复杂工况下的稳定运行。首先，该模块采用第三代IGBT技术，具有较低的导通压降和开关损耗，从而提高了整体能效并降低了散热需求。其次，模块内部集成了快速恢复二极管，具备优异的反向恢复特性，适用于高频开关应用。此外，SKM145GB128DM1的封装结构设计优化了热管理和机械强度，确保在高功率密度和高环境温度下仍能保持稳定性能。模块的引脚布局经过优化，减少了寄生电感，有助于降低开关过程中的电压尖峰。最后，该模块具备良好的短路耐受能力，可在故障条件下提供一定程度的保护，提升系统的可靠性。

SKM145GB128DM1广泛应用于需要高效功率转换和控制的工业与交通领域。其主要应用包括：工业变频器和伺服驱动系统，用于实现对交流电机的精确控制；新能源领域如光伏逆变器和风力发电变流器，用于将直流电转换为交流电并网；电动汽车充电设备中的功率转换模块；以及UPS不间断电源系统和电能质量调节设备。由于其高可靠性和紧凑设计，该模块也适用于对空间和散热有较高要求的应用场景。

SKM145GB128DN1, SKM145GB12T4, SKM150GB128DE