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SKM100GB125DN 发布时间 时间:2025/8/23 19:34:41 查看 阅读:80

SKM100GB125DN 是一款由 SEMIKRON(赛米控)制造的 IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,广泛应用于高功率电子设备中,如工业电机驱动、电力转换系统和可再生能源系统。该模块集成了多个 IGBT 芯片和反并联二极管,具有高电流承载能力和优异的热性能。

参数

额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):100A
  短路耐受能力:10μs
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:双列直插式封装(DIP)
  芯片技术:IGBT4
  导通压降(VCE_sat):约2.1V
  热阻(Rth):约0.35K/W

特性

SKM100GB125DN 模块采用先进的 IGBT4 技术,具有较低的导通损耗和开关损耗,适合高频开关应用。其内部结构采用优化设计,确保了良好的热管理和电流分布。模块封装坚固,能够承受较高的机械应力和热应力,适用于恶劣的工作环境。
  该模块还内置反并联快速恢复二极管,可有效减少能量损耗并提高系统的整体效率。此外,模块的绝缘性能优异,符合 IEC 和 UL 标准,适用于各种高可靠性要求的工业应用。
  SKM100GB125DN 具有良好的短路保护能力,能够在极端工况下保持稳定运行。其低电感设计减少了开关过程中的电压尖峰,提高了系统的稳定性和安全性。模块的安装方式灵活,支持多种散热方案,便于集成到各种功率系统中。

应用

SKM100GB125DN 主要用于变频器、伺服驱动器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、UPS 电源、工业自动化设备和电机控制系统等领域。由于其高可靠性和优异的电气性能,该模块特别适合用于需要高功率密度和高效能的场合。

替代型号

SKM75GB125DN, SKM150GB125DN

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SKM100GB125DN参数

  • 安装类型螺丝
  • 宽度34.5mm
  • 封装类型D 93
  • 尺寸94.5 x 34.5 x 30.5mm
  • 引脚数目7
  • 最低工作温度-40 °C
  • 最大栅极发射极电压±20V
  • 最大连续集电极电流100 A
  • 最大集电极-发射极电压1200 V
  • 最高工作温度+150 °C
  • 通道类型N
  • 配置
  • 长度94.5mm
  • 高度30.5mm