Skkq1200/18e 是一款由 semikron(赛米控)生产的 igbt(绝缘栅双极型晶体管)模块,主要用于高功率应用,如变频器、电机驱动、可再生能源系统和工业自动化设备。该模块集成了多个 igbt 芯片和反并联二极管,采用先进的封装技术,提供高可靠性和良好的热性能。Skkq1200/18e 的设计旨在满足高效率、高功率密度和高稳定性的需求,广泛应用于中高功率等级的电力电子系统。
器件类型:IGBT 模块
集电极-发射极电压(VCES):1800V
额定集电极电流(IC):1200A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
短路耐受能力:6μs @ 150°C
封装类型:SMD(表面贴装)
绝缘等级:符合 IEC 60146-1 标准
最大工作频率:30kHz(典型)
导通压降(VCE_sat):约 2.95V @ IC=1200A
二极管正向压降(VF):约 2.8V @ IF=1200A
Skkq1200/18e 是一款高性能的 igbt 模块,具备出色的电气和热性能。其最大集电极-发射极电压为 1800v,额定集电极电流可达 1200a,适用于中高功率变换器系统。该模块采用了先进的芯片并联技术和低电感封装设计,使得其在高频工作下仍能保持较低的开关损耗和较高的可靠性。
模块内部集成了多个 igbt 芯片和快速恢复二极管,采用了先进的封装材料和焊接技术,确保了良好的导热性能和机械稳定性。其表面贴装(smd)封装形式便于安装和散热,适用于高功率密度设计。此外,skkq1200/18e 具有较强的短路耐受能力,能够在 150°c 条件下承受 6 微秒的短路电流,提高了系统在异常情况下的安全性。
该模块的导通压降(vce_sat)约为 2.95v,在 1200a 电流下仍能保持较低的导通损耗,从而提高整体系统效率。二极管的正向压降(vf)约为 2.8v,具有良好的反向恢复特性,适用于高频率开关应用。此外,模块的绝缘等级符合 iec 60146-1 标准,适用于多种工业环境,并可在 -40°c 至 +150°c 的温度范围内稳定工作。
在实际应用中,skkq1200/18e 需要配合适当的散热器和驱动电路使用,以确保 igbt 在安全工作区运行。其高功率处理能力和良好的热管理能力,使其成为工业电机驱动、ups(不间断电源)、光伏逆变器、电能质量调节装置等应用的理想选择。
Skkq1200/18e 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统。常见的使用场景包括工业电机驱动器、ups(不间断电源)、光伏逆变器、电能质量调节设备、轨道交通牵引系统以及大功率变频器等。该模块特别适合于需要处理高电压和大电流的场合,能够满足现代工业对高效率、小型化和长寿命的要求。
SKM1200GB176D