类型：IGBT模块
　　拓扑结构：双封装（Dual）
　　最大集电极电流（Ic）：70A
　　最大阻断电压（VCES）：1800V
　　导通压降（Vce_sat）：约2.1V（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：SemiKUBE（SK）
　　安装方式：螺钉安装
　　热阻（Rth）：结到散热器约0.35K/W
　　二极管反向恢复时间（trr）：约1.8μs
　　短路耐受能力：有
　　认证标准：符合RoHS和UL认证

SKKH570-18E具备多项先进的电气和热性能特点，适用于高功率密度和高可靠性要求的应用。该模块采用了Semikron的高性能IGBT芯片技术，具有低导通压降和低开关损耗，有助于提高系统整体效率。其双封装结构允许在一个模块内集成两个IGBT开关单元，减少了外部连接和布局复杂度。
　　该模块内置的快速恢复二极管（FWD）具有较低的反向恢复损耗和较高的可靠性，适用于高频开关操作。SKKH570-18E还具备良好的热管理能力，模块内部的热阻较低，有助于在高负载条件下保持稳定的结温，延长使用寿命。
　　此外，SKKH570-18E采用坚固的封装设计，具备良好的抗机械应力和热循环能力，适用于恶劣的工作环境。其螺钉安装方式简化了散热器的连接，并提高了机械稳定性。模块还通过了多项国际认证，确保其在各类工业和电力应用中的可靠性与安全性。
　　SKKH570-18E的设计使其非常适合用于电机驱动、变频器、不间断电源（UPS）、电能质量调节设备以及可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）等应用场景。其高性能和高集成度有助于减少系统体积、提高功率密度，并降低整体成本。

SKKH570-18E广泛应用于工业自动化、电机驱动、变频器、不间断电源（UPS）、电能质量调节设备、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）、电动汽车充电设备、储能系统以及高功率电源转换装置等领域。其高功率密度和高可靠性使其成为需要高效、紧凑功率解决方案的首选模块之一。

SKM75GB176D, FS75R18W1T4_B11, FF600R17KE4