类型：IGBT模块
　　拓扑结构：双单元
　　集电极-发射极电压（VCES）：1800V
　　集电极电流（IC）：130A
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　短路耐受能力：典型值600A（10μs）
　　封装形式：SKiiP（嵌入式散热器）
　　绝缘等级：符合UL 94 V-0标准
　　最大结温（Tj）：150°C
　　栅极电压范围：-15V至+20V

SKKH131/18E 模块具有多项优异的电气和热性能。其采用的IGBT芯片技术实现了低导通压降和快速开关特性，从而降低了功率损耗并提高了系统效率。模块内部集成有二极管反并联结构，适用于整流和逆变电路。此外，模块采用了SKiiP封装技术，内置散热器，提高了散热效率，适用于紧凑型功率变换装置。该模块还具备良好的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行。其高绝缘等级和宽工作温度范围确保了在严苛工业环境下的可靠性和长寿命。
　　在制造工艺方面，SKKH131/18E 采用无铅封装和符合RoHS标准的材料，满足环保要求。模块的引脚设计优化了电流分布，减少电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。此外，模块支持并联使用，适用于需要更高电流输出的应用场合。

SKKH131/18E 主要应用于中高功率变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、工业自动化系统以及电能质量调节装置等。由于其高性能和高可靠性，该模块特别适合对系统效率、散热管理和空间限制有较高要求的场合。

SKKH131/18E的替代型号包括SKKH132/18E、SKM100GB176D、FF1200S17P4、SKM150GB176D等，这些型号在性能参数和封装形式上相近，可根据具体应用需求进行选择。