器件类型：IGBT模块
　　拓扑结构：双封装（Dual）
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　最大集电极电流（IC）：131A
　　短路耐受电流：250A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　导通压降（VCE_sat @ IC=131A, Tj=25°C）：约2.1V
　　短路电流能力：250A
　　封装类型：SKiiP Half-Bridge
　　安装方式：PCB安装或散热器安装

SKKH131/14E 采用先进的 IGBT4 芯片技术，具有出色的导通损耗和开关损耗平衡，适用于高效率电力电子变换系统。其内部结构包括两个独立的IGBT单元，能够构建半桥拓扑结构，常用于逆变器电路设计。模块具有良好的热管理性能，适用于风冷或水冷散热系统，确保在高温环境下仍能稳定运行。此外，该模块具备较高的短路耐受能力，增强了系统的可靠性与安全性。模块还内置NTC温度传感器，可用于温度监控与保护。
　　在封装方面，SKKH131/14E采用了Semikron专利的SKiiP封装技术，无需螺丝固定，直接插拔式安装，简化了装配过程并提高了模块的机械稳定性。模块还具备良好的电磁兼容性（EMC），适用于复杂的工业环境。该模块的引脚设计兼容多种驱动电路，便于系统集成和维护。整体来看，SKKH131/14E是一款适用于高功率密度设计的IGBT模块，具备高性能、高可靠性和易维护性等特点。

SKKH131/14E 主要应用于工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电能质量调节装置以及电动汽车充电系统等场景。由于其高功率密度和良好的热管理性能，该模块特别适合用于需要高效能和高可靠性的中高功率应用场合。

SKM100GB12T4, FS150R12KT4, SKKH122/16E