类型：NPN双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：200V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：250V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：15A
　　功率耗散（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　增益（hFE）：根据具体版本分为不同等级
　　最大工作频率（fT）：约30MHz

SKKD701/22 H4 的主要特性包括其高电压和高电流处理能力，适用于多种高功率应用。该晶体管的TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高功率工作条件下的稳定性和可靠性。此外，该器件具有较高的电流增益，能够在低输入信号条件下实现高效的功率放大。
　　这款晶体管还具有良好的线性度和低失真特性，使其非常适合用于音频放大器和射频（RF）放大器应用。由于其高耐压特性，SKKD701/22 H4 也可用于开关电源、马达驱动器以及各种工业自动化控制系统中的功率开关电路。
　　此外，SKKD701/22 H4 在设计上具有较高的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供一定的保护功能。该器件的制造工艺符合工业级标准，确保其在各种环境条件下都能保持稳定的性能。

SKKD701/22 H4 主要应用于需要高功率放大的场合，例如音频功率放大器、射频（RF）放大器、工业控制系统的功率模块、马达驱动器、开关电源（SMPS）以及各种类型的功率开关电路。由于其良好的高频响应和高电流处理能力，该晶体管也常用于逆变器和变频器等电力电子设备中。
　　在音频放大器设计中，SKKD701/22 H4 可以作为输出级的核心元件，提供高保真的音频输出。在射频应用中，它可用于构建高功率射频放大器，满足通信和广播行业的特定需求。此外，该器件还可用于电源管理系统中的电流控制和调节，确保系统在高负载条件下的稳定运行。

SKKD701/22 H4 的替代型号包括 STMicroelectronics 的 2N6277 和 ON Semiconductor 的 MJ15003G。这些型号在电气参数和封装形式上与 SKKD701/22 H4 相似，可以作为替代品用于类似的高功率应用中。