SKIW900/12 时间：2025/8/23 15:15:14 阅读：15

SKIW900/12 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款双功率场效应晶体管（MOSFET）模块，主要用于高功率应用，如电源转换、电机控制、工业自动化等。该模块集成了两个N沟道MOSFET，具有高效率、低导通损耗和高可靠性。SKIW900/12 采用高性能封装技术，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。其设计适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中，是工业电源、变频器、不间断电源（UPS）和逆变器等应用的理想选择。

参数

类型：双N沟道MOSFET模块
　　最大漏源电压（Vds）：1200V
　　最大漏极电流（Id）：900A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为 12mΩ（每个MOSFET）
　　封装类型：双列直插式（DIP）或模块封装
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　安装方式：底座安装
　　热阻（Rth）：根据散热条件而定，通常在 0.15°C/W 至 0.3°C/W 之间
　　最大功耗：根据散热条件而定，通常在 300W 至 600W 之间

特性

SKIW900/12 MOSFET模块具有多项优异的电气和热性能特点。首先，其高耐压能力（1200V）使其适用于高压电力电子系统，能够在恶劣的电气环境中稳定运行。其次，模块内置两个N沟道MOSFET，采用并联结构，能够承受高达900A的大电流，适用于高功率密度设计。导通电阻低至12mΩ，使得导通损耗极低，提高了整体系统效率。
　　此外，SKIW900/12 采用模块化封装技术，具有良好的散热性能，热阻低，确保在高负载下仍能保持较低的工作温度。这种设计有助于延长器件寿命，并提高系统的长期可靠性。模块还具备良好的短路和过载能力，能够有效应对突发的电流冲击，保护电路免受损坏。
　　由于其双MOSFET结构，该模块可以用于半桥或全桥拓扑结构，在变频器、逆变器和DC-DC转换器等应用中表现出色。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，提高了系统的动态响应能力。STMicroelectronics 在设计中还考虑了电磁干扰（EMI）控制，使得该模块在高频应用中也能保持较低的噪声水平，从而减少外围滤波元件的需求。

应用

SKIW900/12 主要用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统。典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、电动汽车充电系统、可再生能源逆变器（如太阳能逆变器）、不间断电源（UPS）和大功率开关电源等。在这些应用中，SKIW900/12 能够提供高效的功率转换，并确保系统的稳定性和可靠性。
　　在工业自动化领域，该模块常用于电机驱动和电源管理系统，支持高动态响应和高效率运行。在新能源应用中，如光伏逆变器和储能系统，SKIW900/12 的高耐压和大电流能力使其成为理想的功率开关器件。此外，在轨道交通和电动汽车领域，该模块也广泛用于电机控制器和车载充电系统中，满足高可靠性和高安全性的要求。