时间：2025/6/17 5:14:55
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FN15X561K500PNG 是一款由 Fairchild（现已被 ON Semiconductor 收购）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种高频、高效率的开关应用。
该器件的主要设计目的是为了提高电源系统的效率并降低热损耗，因此在 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等领域有广泛的应用场景。
型号：FN15X561K500PNG
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ @ VGS=10V
IDS（连续漏极电流）：132A
VGS（栅源极电压）：±20V
功耗：92W
封装形式：TO-247-3L
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
FN15X561K500PNG 的主要特点是其超低的导通电阻（RDS(on)），这使其能够有效减少功率损耗，尤其是在大电流应用中。此外，该器件还具备以下特性：
- 快速开关性能，降低了开关损耗。
- 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
- 热稳定性强，能够在极端温度条件下保持良好的性能。
- 采用 TO-247-3L 封装，易于散热且机械强度高。
- 符合 RoHS 标准，绿色环保。
该器件适合用于各种需要高效能和低损耗的场合，具体应用包括：
- 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
- 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
- 电信和工业设备中的负载开关。
- 电动汽车和混合动力汽车中的逆变器模块。
- 充电器和适配器中的同步整流管。
由于其出色的电气性能和可靠性，FN15X561K500PNG 在要求高功率密度和高性能的设计中表现出色。
IRFZ44N, FDP17N60C, STP132N60E
