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SKIIP39TMLI12T4V2 发布时间 时间:2025/8/23 7:09:29 查看 阅读:3

SKIIP39TMLI12T4V2 是由赛米控(SEMIKRON)生产的一款智能功率模块(IPM),专为高效能电力电子应用设计。该模块集成了IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和二极管,采用紧凑型封装,具有高性能、高可靠性和易于集成的特点,适用于工业电机控制、变频器、电能转换系统等领域。

参数

类型:IGBT模块
  拓扑结构:三相逆变桥
  最大集电极电流(IC):39A
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  最大工作温度:150°C
  短路耐受能力:6μs
  封装类型:MiniSKiiP
  热阻(Rth):约0.35°C/W(结到基板)
  栅极驱动电压:±15V推荐
  工作温度范围:-40°C至+125°C

特性

SKIIP39TMLI12T4V2 采用先进的IGBT4技术,提供优异的导通和开关性能,降低功率损耗,提高系统效率。其MiniSKiiP封装设计无需额外的散热器安装,简化了系统设计并降低了整体成本。模块内部集成了负温度系数(NTC)热敏电阻,便于实时温度监测和过热保护。此外,该模块具备良好的短路耐受能力,增强了系统的稳定性和可靠性。
  该模块的高集成度设计还包括内置的栅极驱动保护电路和欠压保护功能,防止在低电压条件下误操作,提高系统的安全性。其优化的内部布局减少了寄生电感,从而降低了电压尖峰和电磁干扰(EMI),有利于实现更高的开关频率和更小的外围滤波器设计。此外,模块采用环保材料制造,符合RoHS和REACH标准,适用于对环保要求较高的应用场合。

应用

该模块广泛应用于工业自动化、电机驱动器、伺服系统、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及家用和商用电器中的高效变频系统。其紧凑的结构和优异的电气性能使其成为高功率密度设计的理想选择。

替代型号

SKM39TMLI12T4V2, SKIIP39NAB12T4V2

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