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W632GU8MB15I 发布时间 时间:2025/8/20 15:23:01 查看 阅读:5

W632GU8MB15I 是由Winbond(华邦电子)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于SDRAM类别,具体型号为W632GU8MB15I,其主要特点包括高密度存储容量、低功耗设计以及适用于工业级温度范围。DRAM广泛应用于需要快速数据存取的电子设备中,如工业控制、网络设备、嵌入式系统和消费电子产品。

参数

容量:256MB
  组织结构:16M x 16
  电压:2.3V - 3.6V
  速度:15ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54-pin
  工作温度:-40°C 至 +85°C

特性

W632GU8MB15I 的主要特性之一是其高存储密度,能够提供256MB的存储容量,并采用16M x 16的组织结构,使其适用于需要大容量存储的应用场景。该芯片支持低电压操作,电压范围为2.3V至3.6V,具有良好的电源适应性和低功耗特性,适合电池供电设备或对功耗有严格要求的系统。
  此外,W632GU8MB15I 采用TSOP封装,54引脚设计确保了良好的电气性能和稳定性。其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,适用于各种严苛环境条件下的设备。该芯片的数据存取速度为15ns,能够满足中高速数据处理的需求,确保系统运行的稳定性与高效性。

应用

W632GU8MB15I 主要应用于需要中高容量存储且对功耗有一定要求的电子系统。常见的应用包括工业控制设备、网络路由器与交换机、嵌入式系统、智能卡终端、医疗设备、安防监控设备等。其宽温工作范围和低功耗设计也使其适用于户外设备和便携式电子产品。

替代型号

IS42S16100E-15TLI

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W632GU8MB15I参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(8x10.5)