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SKIIP35NAB12T4V1 发布时间 时间:2025/8/23 17:47:06 查看 阅读:39

SKIIP35NAB12T4V1是一款由赛米控(SEMIKRON)公司生产的智能功率模块(IPM),主要用于高功率密度和高性能要求的电力电子系统中。该模块集成了IGBT功率晶体管、驱动电路、保护电路以及热敏电阻等元件,具有高可靠性和集成度,适用于工业电机驱动、变频器、不间断电源(UPS)等领域。

参数

类型:智能功率模块(IPM)
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):35A
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装形式:双列直插式(DIP)
  内置保护功能:过流保护、短路保护、欠压保护、过温保护
  热敏电阻:NTC温度传感器
  驱动方式:集成驱动电路
  隔离电压:2500Vrms

特性

SKIIP35NAB12T4V1具备多项先进特性,确保其在复杂环境下的稳定运行。首先,该模块采用先进的IGBT芯片技术,具有低导通压降和低开关损耗的优点,能够有效提升系统的整体能效。其次,集成的驱动和保护电路使得外部电路设计更加简洁,减少了系统设计的复杂度,并提高了模块的可靠性。
  此外,该模块内置NTC热敏电阻,能够实时监测模块的工作温度,并在温度过高时触发保护机制,防止过热损坏。其隔离电压高达2500Vrms,确保了模块在高压应用中的安全性,适用于对电气隔离要求较高的工业设备。
  在封装方面,采用双列直插式(DIP)封装结构,便于安装和散热,同时也支持模块的快速更换与维护,降低了设备的维护成本。整体设计符合RoHS环保标准,适用于各种环保要求较高的应用场景。
  模块还具备多种保护功能,包括过流保护、短路保护、欠压保护等,这些保护机制可以在异常工作条件下迅速响应,有效防止器件损坏,提高系统的稳定性与安全性。

应用

该模块广泛应用于各种高性能功率电子系统中,典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、新能源汽车充电设备、太阳能逆变器等。由于其高集成度、高可靠性和完善的保护功能,特别适用于需要高效率、高稳定性和紧凑设计的工业自动化和电力电子控制系统。

替代型号

SKiiP35NAB12T4V1-HD、SKiIP35NAB12T4V1R、SKiIP35NAB12T4V1-4UDD

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SKIIP35NAB12T4V1参数

  • 集电极直流电流:62A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.05V
  • 电压, Vceo:1.2kV
  • 封装类型:MiniSkiip-3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
  • 上升时间:35ns
  • 封装类型:MiniSkiip-3
  • 最大连续电流, Ic:67A
  • 模块配置:
  • 电压, Vces:1.2kV
  • 集电极连续电流, Ic 最大值:52A
  • 饱和电压 Vce sat 典型值:1.85V