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IXFX40N90P 发布时间 时间:2025/8/6 7:10:36 查看 阅读:13

IXFX40N90P 是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于高功率电子设备和工业电源系统中。该器件设计用于高电压和高电流应用,具备良好的热性能和稳定性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:40A
  最大漏-源电压:900V
  最大栅-源电压:±30V
  导通电阻(Rds(on)):0.22Ω
  功率耗散:300W
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

IXFX40N90P具有多种优良的电气和热性能,适用于高功率应用。其高耐压能力(900V)使其在高电压电源转换器中表现出色。该器件的导通电阻较低,为0.22Ω,能够减少导通损耗,提高系统效率。此外,它具备较高的最大漏极电流(40A)和良好的热稳定性,适合用于高功率开关应用。TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装和使用。
  在可靠性方面,IXFX40N90P具备良好的抗过载能力和抗短路能力,适合在工业环境下长期运行。其栅极驱动电压范围较宽(±30V),提高了使用的灵活性。由于其优异的性能,该器件广泛应用于电源转换器、电动机控制、太阳能逆变器和UPS系统等高功率设备中。

应用

IXFX40N90P 主要应用于高功率电子系统,例如电源转换器、DC-AC逆变器、电动机驱动器、太阳能逆变器以及不间断电源(UPS)等。由于其高电压和高电流能力,它也非常适合用于工业控制和自动化设备中的功率开关。

替代型号

IXFH40N90P, IXFH40N85P

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IXFX40N90P参数

  • 特色产品900V Polar HiPerFET? Power MOSFETs
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)900V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C230 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)6.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs230nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds14000pF @ 25V
  • 功率 - 最大960W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件