IXFX40N90P 是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于高功率电子设备和工业电源系统中。该器件设计用于高电压和高电流应用,具备良好的热性能和稳定性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:40A
最大漏-源电压:900V
最大栅-源电压:±30V
导通电阻(Rds(on)):0.22Ω
功率耗散:300W
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55°C至150°C
IXFX40N90P具有多种优良的电气和热性能,适用于高功率应用。其高耐压能力(900V)使其在高电压电源转换器中表现出色。该器件的导通电阻较低,为0.22Ω,能够减少导通损耗,提高系统效率。此外,它具备较高的最大漏极电流(40A)和良好的热稳定性,适合用于高功率开关应用。TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装和使用。
在可靠性方面,IXFX40N90P具备良好的抗过载能力和抗短路能力,适合在工业环境下长期运行。其栅极驱动电压范围较宽(±30V),提高了使用的灵活性。由于其优异的性能,该器件广泛应用于电源转换器、电动机控制、太阳能逆变器和UPS系统等高功率设备中。
IXFX40N90P 主要应用于高功率电子系统,例如电源转换器、DC-AC逆变器、电动机驱动器、太阳能逆变器以及不间断电源(UPS)等。由于其高电压和高电流能力,它也非常适合用于工业控制和自动化设备中的功率开关。
IXFH40N90P, IXFH40N85P