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SKIIP32NAB12T12 发布时间 时间:2025/8/23 15:24:20 查看 阅读:13

SKIIP32NAB12T12是一款基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术的智能功率模块(IPM),由赛米控(SEMIKRON)公司生产。该模块集成了IGBT芯片、反向并联二极管以及驱动和保护电路,适用于中高功率的电力电子应用。该模块采用SKiiP(无引线双列直插功率封装)技术,具有优异的热性能和电气性能,适用于各种工业控制和功率转换设备。

参数

类型:IGBT智能功率模块
  集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):32A
  短路耐受电流:60A(持续10μs)
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装形式:SKiiP 3(无引线双列直插式)
  驱动电压:15V(典型)
  短路保护:具备
  过温保护:具备
  欠压保护:具备
  隔离电压:3000VAC(基本绝缘)

特性

SKIIP32NAB12T12具备多项先进的电气和热性能,能够满足高可靠性应用的需求。首先,其集成的IGBT芯片和二极管在导通和关断过程中具有低损耗特性,有助于提高系统的整体效率。其次,该模块内置了多种保护功能,包括过流保护、短路保护、欠压保护和过温保护,能够有效防止器件在异常工况下损坏,提高系统的稳定性和安全性。
  此外,SKiiP封装技术采用了先进的双面散热结构,使得模块在高功率运行时仍能保持较低的温升,延长了器件的使用寿命。模块的封装材料和结构设计也确保了其在恶劣环境下的高绝缘性能和机械强度。
  模块的驱动电路设计优化了IGBT的开关特性,降低了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI),提高了系统的电磁兼容性(EMC)性能。

应用

该模块广泛应用于工业电机驱动、变频器、伺服控制系统、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及工业自动化设备等高功率电子系统中。由于其高度集成化的设计和内置保护功能,特别适用于对系统可靠性要求较高的应用场景。

替代型号

SEMIKRON SKiiP33NAB12T4, Infineon FS35R12W1T4_B35, Mitsubishi CM300DY-24A

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