时间：2025/7/3 11:02:42
阅读：6
ESDT33V3B 是一款用于静电放电（ESD）保护的瞬态电压抑制器，属于半导体保护器件。它采用先进的硅技术制造，专为高速数据线路和高频应用设计，能够提供卓越的 ESD 和浪涌保护性能。该器件具有极低的电容值，适合于高速信号传输场景，并且其紧凑的封装形式使其易于集成到各种电子设备中。
ESDT33V3B 的典型应用场景包括 USB、HDMI、以太网以及其他高速接口的保护。它的高响应速度可以有效防止因静电放电或瞬态电压造成的电路损坏，从而提升系统的可靠性和稳定性。
工作电压：3.3V
峰值脉冲电流：±15A（8/20μs波形）
钳位电压：≤7V
寄生电容：≤1pF
响应时间：≤1ps
封装形式：SOD-962（0201尺寸）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的寄生电容，适用于高速数据线路保护。
2. 快速响应时间，可有效抑制瞬态电压威胁。
3. 高度可靠的 ESD 保护能力，符合 IEC 61000-4-2 标准（接触放电 ±15kV，空气放电 ±15kV）。
4. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
5. 耐热性能优越，能够在宽温范围内稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
ESDT33V3B 广泛应用于需要高性能 ESD 保护的场景，例如：
1. 消费类电子产品中的高速接口保护，如手机、平板电脑、笔记本电脑等。
2. 工业设备中的信号线路保护，确保数据传输的完整性。
3. 通信设备中的 ESD 保护，如路由器、交换机等。
4. HDMI、USB、DisplayPort 等高速接口的保护。
5. 汽车电子系统中的敏感信号线路保护。
PESD3V3S1BT, SMG333A
