时间：2025/9/14 18:59:38
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BUK7S0R7-40HJ是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流、高效率的电源管理应用。该器件采用先进的TrenchPlus?技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于诸如汽车电子、工业电源、DC-DC转换器和负载开关等应用。该MOSFET采用Housed SO8（LFPAK）封装，具备优良的散热性能和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A（在Tmb=25°C时）
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.7mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：32nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：Housed SO8（LFPAK）
BUK7S0R7-40HJ的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。这种低导通电阻使其非常适合高电流应用，如汽车中的DC-DC转换器、电动机驱动和电池管理系统。此外，该器件采用NXP的TrenchPlus?技术，结合了高电流处理能力和优异的热性能。
该MOSFET使用LFPAK（Housed SO8）封装，这是一种双面散热的表面贴装封装技术，能够提供良好的热管理和机械稳定性。这种封装形式不仅提高了功率密度，还简化了PCB布局和制造工艺，非常适合自动化生产和高密度设计。
其高栅极电荷（Qg）特性使其适用于中等频率开关应用，能够在保持良好开关性能的同时，降低开关损耗。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，能够在突发过载或瞬态条件下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性和耐用性。
由于其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C），BUK7S0R7-40HJ可在极端环境条件下正常工作，例如在汽车发动机舱等高温环境中，确保电子系统的长期稳定运行。
BUK7S0R7-40HJ广泛应用于多个高性能电源管理领域，包括但不限于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和车身控制模块。在工业自动化和电源供应领域，该器件适用于高效率的电源模块、伺服驱动器和电机控制电路。
由于其出色的导通性能和高电流处理能力，该MOSFET也非常适合用于电池管理系统（BMS），尤其是在电动汽车和储能系统中，作为负载开关或充放电控制元件。在通信设备中，BUK7S0R7-40HJ可用于高效率的电源模块，确保设备在高负载条件下稳定运行。
此外，该器件还可用于各种高功率密度的消费类电子产品，如高端服务器电源、笔记本电脑电源适配器以及高性能LED照明驱动电路。其高可靠性和优良的热管理性能使其成为各种要求严苛的应用场景中的理想选择。
Infineon BSC010N04LS G、ON Semiconductor NVMD120N04CLFTAG、STMicroelectronics STL110N4F7
