类型：智能功率模块（IPM）
　　晶体管类型：IGBT
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：31A
　　短路电流能力：62A
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：双列直插式（DIP）
　　导通压降：约1.7V（典型值）
　　热阻：约0.45K/W
　　绝缘电压：2500Vrms
　　安装方式：螺钉安装
　　尺寸：约130mm x 70mm x 15mm
　　重量：约150g

SKIIP31NAB12T45具备多项先进特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，模块的IGBT芯片采用了优化的设计，具有较低的导通压降和开关损耗，从而提高了整体效率并减少了热量产生。其次，模块内置了热保护功能，能够在过热情况下自动关闭，防止损坏。此外，模块的封装设计提供了良好的绝缘性能和机械强度，确保在高电压和大电流条件下安全运行。其紧凑的结构和高效的散热能力使其适用于空间受限的应用场景。模块还具备良好的电磁兼容性（EMC），能够在复杂的电磁环境中稳定工作。最后，模块的双列直插式封装设计简化了安装过程，提高了生产效率。

该模块广泛应用于各种高功率电子设备中，包括工业电机驱动器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及家电产品。其高可靠性和优异的热性能使其成为需要长时间稳定运行的工业设备的理想选择。在电动汽车领域，该模块可用于车载充电器和动力系统，提供高效的能量转换。在可再生能源系统中，如太阳能和风能发电设备，该模块能够有效地将电能转换为可用形式，提高能源利用效率。

SKM300GB12T4、FS31NAB12W2T4-B1、FF31NAB12W2T4-B1