时间：2025/8/23 8:43:50
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SKIIP21NAB12T31是一款基于绝缘栅双极晶体管（IGBT）技术的功率模块，由赛米控（SEMIKRON）公司生产。该模块集成了IGBT芯片和反并联二极管，适用于高功率密度和高性能的电力电子应用。其封装设计为双管（Half Bridge）结构，具备良好的热管理和电气性能，适用于逆变器、变频器以及电机驱动等场合。
类型：IGBT模块
拓扑结构：Half Bridge（半桥）
最大集电极电流（IC）：21A
最大阻断电压（VCES）：1200V
工作温度范围：-40°C ~ 150°C
封装类型：SIP（单列直插式封装）
安装方式：PCB安装
短路耐受能力：有
热阻（Rth）：具体数值参考数据手册
SKIIP21NAB12T31具备优异的电气性能和热稳定性，适合在高要求的工业环境中运行。其内部集成了高性能的IGBT芯片和快速恢复二极管，能够在高频率下稳定工作，同时具备良好的导通和开关损耗特性，有助于提高系统效率。模块采用标准化封装，便于集成到各种电力电子系统中。此外，该模块具备较强的短路保护能力，增强了系统的可靠性和安全性。由于其紧凑的设计和优良的散热性能，使得它在小型化和高效能应用中表现出色。
该模块还支持多种冷却方式，包括自然冷却和强制风冷，适应不同的散热需求。此外，模块的封装材料符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计。由于其高集成度和可靠的设计，广泛应用于工业电机驱动、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及电动汽车充电系统等领域。
该模块广泛应用于各种高功率电子系统，如工业电机驱动器、变频器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。其高可靠性和良好的电气性能使其在需要高效能和高稳定性的系统中表现出色。
SKM200GB12T4、FS25R12W1T4_B11、SKM250GB12T4
