类型：IGBT模块
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：1700V
　　额定集电极电流（IC）：192A
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：DIL（双列直插式）
　　短路耐受能力：具备短路保护能力
　　绝缘电压：符合相关标准
　　导通压降：典型值约2.8V（IC=192A时）
　　关断能耗（Eoff）：典型值约1.2mJ/A（测试条件为125°C，1700V）
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

SKIIP192GDL170-475CTV模块具有多项先进的电气和热性能特性。首先，其高耐压能力（1700V）和大额定电流（192A）使其适用于高功率应用场景。模块内部采用先进的IGBT3芯片技术，提供较低的导通损耗和开关损耗，有助于提高系统效率并降低温升。此外，模块采用赛米控独有的双列直插式封装技术，使得模块在安装时无需额外的散热器或复杂的绝缘垫片，简化了装配过程，同时提高了散热效率。模块内部集成有快速恢复二极管，具有良好的反向恢复特性，适用于高频开关应用。该模块还具备良好的短路耐受能力和过热保护特性，增强了系统的可靠性。模块的封装材料具有良好的绝缘性能和机械稳定性，能够适应恶劣的工作环境，如高温、高湿或振动较大的场合。

该模块广泛应用于多种高功率电子系统中。典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、电动汽车电驱系统、新能源发电系统（如光伏逆变器和风力发电变流器）、轨道交通牵引系统以及储能系统等。由于其高功率密度和良好的可靠性，特别适合对空间和效率要求较高的应用。例如，在电动汽车领域，该模块可用于电机控制器中，实现高效能的电能转换和驱动控制；在光伏逆变器中，可用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电并馈入电网；在工业电机驱动中，可实现精确的电机控制和节能运行。

SKM192GB170D-475DV