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SKFH30/08DT 发布时间 时间:2025/8/22 19:06:03 查看 阅读:18

SKFH30/08DT 是 ABB 公司推出的一款高性能双通道 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)驱动器模块,广泛用于工业电机控制、变频器、逆变器和伺服系统等电力电子应用中。该模块专为驱动高性能 IGBT 和 SiC(碳化硅)功率器件而设计,具备高集成度、高可靠性和快速响应能力。SKFH30/08DT 采用 ABB 的专利驱动技术,提供电气隔离、过流保护、短路保护、欠压保护等功能,确保功率器件在各种工作条件下安全稳定运行。

参数

供电电压:15 V DC(最大允许范围:13.5 V 至 16.5 V)
  输出峰值电流:±30 A
  最大开关频率:100 kHz
  输入信号类型:标准 PWM 信号(兼容 3.3V、5V 和 15V 逻辑)
  输出驱动电压:+15 V / -8 V(适用于 IGBT 和 SiC MOSFET)
  绝缘耐压:5700 V AC(加强绝缘)
  工作温度范围:-40°C 至 +105°C
  保护功能:过流保护(OCP)、短路保护(SCP)、欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)
  封装形式:DIP-24,带屏蔽外壳

特性

SKFH30/08DT 驱动模块具备多项先进特性,适用于高要求的工业和电力电子系统。首先,其双通道结构支持独立控制两个功率器件,适用于半桥、全桥或并联功率器件的驱动应用。模块采用高隔离电压设计,提供高达 5700 V AC 的电气隔离,确保系统安全并满足 IEC 60664-1 和 UL 61800-5-1 等国际标准要求。此外,SKFH30/08DT 内置多种保护机制,包括过流保护、短路保护、欠压锁定和过温保护,能够实时监测功率器件的运行状态,并在异常情况下自动关断输出,防止损坏功率器件。其输出驱动电压可配置为 +15 V / -8 V,以适应不同类型的 IGBT 和 SiC MOSFET,提高开关性能和可靠性。同时,模块具备高驱动能力,输出峰值电流可达 ±30 A,支持快速开关动作,减少开关损耗。该模块还具备良好的抗干扰能力,适用于电磁环境复杂的工业现场。整体设计紧凑、易于安装,并支持多种冷却方式,如自然冷却或风冷,适用于高功率密度设计。

应用

SKFH30/08DT 常用于高性能电力电子系统,包括工业变频器、伺服驱动器、UPS(不间断电源)、电能质量调节装置、新能源逆变器(如光伏逆变器和储能逆变器)、电动汽车充电系统以及电机控制设备。由于其高可靠性、高隔离电压和多种保护功能,该模块特别适用于需要长时间稳定运行和高安全要求的工业自动化和能源转换系统。

替代型号

SKYPER 32 R、2ED300C17-S、HCPL-3120、ACPL-332J、SKM400GB12T4

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