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SKDH116/12-L105 发布时间 时间:2025/8/23 5:10:13 查看 阅读:16

SKDH116/12-L105是一种高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、电机控制和工业自动化等领域。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,适合高效率和高功率密度的设计需求。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:116A
  最大漏极-源极电压:1200V
  导通电阻(Rds(on)):105mΩ
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至150°C
  栅极电荷:120nC
  漏极-栅极击穿电压:1200V

特性

SKDH116/12-L105 MOSFET的主要特性包括其高耐压能力和低导通电阻,这使得它在高功率应用中表现出色。其TO-247封装形式提供了良好的散热性能,确保在高电流条件下仍能保持稳定工作。该器件还具有快速的开关速度,有助于减少开关损耗并提高系统效率。此外,SKDH116/12-L105具备优异的热稳定性和可靠性,适用于各种严苛的工业环境。
  该MOSFET的栅极驱动要求相对较低,使其易于与常见的驱动电路配合使用。其高雪崩能量耐受能力也使其在突发负载条件下具有更好的耐用性。SKDH116/12-L105还具有较低的漏电流,在高温条件下仍能保持良好的性能。

应用

SKDH116/12-L105广泛应用于电源转换器、电机驱动器、工业自动化设备和电动汽车充电系统等高功率电子系统中。它也可用于逆变器、UPS(不间断电源)和太阳能逆变器等需要高可靠性和高效能功率开关的场合。

替代型号

SKM100GB12T4

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