时间：2025/8/23 5:10:13
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SKDH116/12-L105是一种高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、电机控制和工业自动化等领域。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适合高效率和高功率密度的设计需求。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：116A
最大漏极-源极电压：1200V
导通电阻（Rds(on)）：105mΩ
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极电荷：120nC
漏极-栅极击穿电压：1200V
SKDH116/12-L105 MOSFET的主要特性包括其高耐压能力和低导通电阻，这使得它在高功率应用中表现出色。其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，确保在高电流条件下仍能保持稳定工作。该器件还具有快速的开关速度，有助于减少开关损耗并提高系统效率。此外，SKDH116/12-L105具备优异的热稳定性和可靠性，适用于各种严苛的工业环境。
该MOSFET的栅极驱动要求相对较低，使其易于与常见的驱动电路配合使用。其高雪崩能量耐受能力也使其在突发负载条件下具有更好的耐用性。SKDH116/12-L105还具有较低的漏电流，在高温条件下仍能保持良好的性能。
SKDH116/12-L105广泛应用于电源转换器、电机驱动器、工业自动化设备和电动汽车充电系统等高功率电子系统中。它也可用于逆变器、UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等需要高可靠性和高效能功率开关的场合。
SKM100GB12T4
