类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：55V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：190A（在 Tc=25°C 时）
　　脉冲漏极电流（Idm）：760A
　　功耗（Ptot）：250W
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 2.7mΩ（典型值 2.3mΩ）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263（D2Pak）

SKD504T 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻 Rds(on) 显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该 MOSFET 支持高达 190A 的连续漏极电流和 760A 的脉冲电流，适用于大电流负载场合。此外，SKD504T 的热阻较低，能够在高功率耗散下保持良好的散热性能，确保器件在高温环境下稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V，兼容多种驱动电路设计。其封装形式为 TO-263（D2Pak），具备良好的机械稳定性和焊接性能，便于 PCB 安装和散热管理。最后，SKD504T 的工作温度范围广，从 -55°C 到 +175°C，适用于严苛的工业和汽车电子环境。

SKD504T 主要用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）、工业自动化设备、电动车充电系统以及太阳能逆变器等。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合需要高效率和高可靠性的电源管理应用。在汽车电子领域，SKD504T 常用于车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等关键模块。

STL190N5LLH6AG、STL190N5LLH6B、IPW60R022C7