类型：双极型晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（Vceo）：80V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：100V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：DIP14或SO14

SKD35/04的主要特性之一是其高增益性能，这使得它能够在低电流条件下提供高效的信号放大。每个晶体管单元的电流增益（hFE）通常在100至800之间，具体取决于工作电流和电压条件。
　　此外，SKD35/04具有较短的开关时间，能够在高速开关应用中表现出色，例如数字逻辑电路和脉宽调制（PWM）控制。其快速的开关特性有助于减少功耗并提高系统的整体效率。
　　该器件的另一个重要特性是其热稳定性和过载保护能力。由于采用了优化的芯片设计和封装技术，SKD35/04可以在较高的温度环境下稳定工作，并在一定程度上抵抗过热和过流的影响。
　　此外，SKD35/04的封装设计（如DIP14或SO14）使其易于集成到印刷电路板（PCB）中，并提供了良好的机械稳定性和电气性能。这种封装形式也方便了在自动化生产和测试过程中的使用。

SKD35/04广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要多个晶体管协同工作的场合。例如，在工业自动化控制系统中，SKD35/04可用于驱动继电器、LED显示屏和小型电机等负载。
　　在电源管理领域，SKD35/04常用于构建DC-DC转换器、线性稳压器和电池充电电路。其高开关速度和低饱和电压特性有助于提高电源转换效率并减少热量产生。
　　此外，该器件还可用于模拟和数字电路中的信号放大和缓冲，特别是在音频放大器和传感器接口电路中，SKD35/04能够提供稳定的增益和较低的失真。
　　在嵌入式系统和微控制器应用中，SKD35/04常用于构建逻辑门电路、驱动外部设备以及实现多路复用和解复用功能。

ULN2003A, ULN2004A, L293D