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SKD33/14 发布时间 时间:2025/8/23 6:29:20 查看 阅读:7

SKD33/14是一种双路N沟道增强型功率MOSFET芯片,主要用于电源管理和开关应用。该器件由东芝(Toshiba)生产,具有高效率、低导通电阻和良好的热稳定性等特点。SKD33/14适用于需要高功率密度和低损耗的电源系统,例如DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统等。该芯片采用SOP8封装,能够满足工业级温度范围要求,适合在高可靠性应用中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):6A
  导通电阻(Rds(on)):28mΩ(典型值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOP8

特性

SKD33/14是一款高性能功率MOSFET芯片,其主要特性包括低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。该芯片的Rds(on)典型值仅为28mΩ,能够在高负载条件下提供较低的功率损耗,提高整体系统效率。此外,SKD33/14的栅极驱动电压范围为±20V,具有较强的抗过压能力,确保在复杂工作环境下的稳定性。该器件的开关速度较快,适合用于高频开关电路,从而减小外部滤波元件的尺寸,提高系统的功率密度。SKD33/14采用SOP8封装,具有良好的散热性能,即使在高电流工作状态下也能保持较低的温度上升。其工作温度范围宽,可在-55°C至150°C之间稳定运行,适用于工业控制、汽车电子和便携式设备等对可靠性要求较高的应用场合。此外,该芯片还具备较高的短路耐受能力,增强了在异常工作条件下的安全性。

应用

SKD33/14广泛应用于电源管理和开关电路中,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统等。其高效率和低导通电阻使其在便携式电子设备和电动车充电系统中表现出色。此外,该芯片也适用于工业自动化设备、LED照明驱动器以及功率因数校正(PFC)电路等场合。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力,SKD33/14也常用于高温或恶劣环境下的控制系统,如工业变频器和智能电表等。

替代型号

Si2302DS, AO3400, IRF7404, FDMS86101

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