MVF61NS151CMK50是一款高性能的MOSFET功率器件,采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于多种电源管理应用场合,包括DC-DC转换器、电机驱动以及电池保护电路等。其封装形式为TO-263(D2PAK),能够提供良好的散热性能和电气特性。
型号:MVF61NS151CMK50
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs连续漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):240W
工作结温范围(Tj):-55℃至+175℃
封装形式:TO-263
MVF61NS151CMK50拥有卓越的电气性能和可靠性。
1. 低导通电阻:Rds(on)仅为0.15Ω,可显著降低功率损耗,提高系统效率。
2. 快速开关能力:优化的内部结构使其具备快速的开关速度,适合高频应用。
3. 高耐压性能:额定漏源电压高达650V,适用于高压环境。
4. 强大的散热性能:采用TO-263封装,具备较大的散热面积,有效降低温升。
5. 稳定性强:能够在极端温度范围内正常工作,确保长期使用中的稳定性。
6. 符合RoHS标准:环保材料制成,满足国际环保法规要求。
MVF61NS151CMK50广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关管或同步整流管。
2. 电机控制:适用于各种类型的电机驱动电路,如步进电机、无刷直流电机等。
3. 电池保护:在电池管理系统(BMS)中起到过流保护和短路保护的作用。
4. 工业自动化:可用于工业控制设备中的功率转换和信号隔离。
5. 汽车电子:适用于车载充电器、电动助力转向系统等汽车相关应用。
6. 其他应用:如逆变器、不间断电源(UPS)等领域。
MVF61NS151CMK50P, IRF840A, STP15NF06