SKD110/12 时间：2025/8/23 19:41:25 阅读：4

SKD110/12 是一种高压、高频开关电源用功率晶体管，主要用于电源转换、开关电源、电机驱动以及逆变器等应用中。这种晶体管属于MOSFET类型，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，适合高效率和高频率工作条件。SKD110/12 的设计使其在高电压和高电流环境下仍能保持稳定性能，因此广泛应用于工业控制和电力电子领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：1200V
　　最大漏极电流(Id)：11A
　　导通电阻(Rds(on))：约0.3Ω（典型值）
　　最大功耗(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
　　输入电容(Ciss)：约1800pF

特性

SKD110/12 MOSFET具有出色的开关性能和高耐压能力，适用于高频开关电路，从而提高电源效率。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提升系统整体效率。此外，该器件具备良好的热稳定性和过载保护能力，可在高温度环境下可靠运行。由于其高雪崩能量耐受能力，SKD110/12在应对电压尖峰和高能脉冲时表现优异，增强了系统的稳定性和寿命。封装形式为TO-247，便于安装和散热管理，适用于各种高功率应用。
　　在实际应用中，SKD110/12还具备快速恢复二极管兼容性，可以与外部二极管协同工作，以优化开关性能和减少电磁干扰（EMI）。此外，其栅极驱动要求相对较低，使得与标准驱动电路的兼容性更强，简化了电路设计和控制系统集成。

应用

SKD110/12 主要用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动系统、逆变器、UPS（不间断电源）系统、工业自动化设备以及高频功率转换系统中。其高耐压和大电流能力使其成为光伏逆变器、电池充电器和电焊机等电力电子设备的理想选择。此外，该器件还可用于LED照明驱动、家电控制电路以及电动汽车充电模块等新兴领域。