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SI3407-TP 发布时间 时间:2025/5/20 16:01:34 查看 阅读:6

SI3407-TP 是一款基于硅的 N 沃特功率场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET),由 Vishay Siliconix 公司生产。该器件采用先进的制程技术,专为高频开关应用而设计。其低导通电阻和优化的栅极电荷使其非常适合用于 DC-DC 转换器、负载切换、电机驱动和电源管理等应用。
  SI3407-TP 的封装形式为 TSOP6,具有较小的占位面积,适合高密度电路板设计。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻(典型值):5.5mΩ
  栅极电荷(典型值):28nC
  总热阻(结到环境):60℃/W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

SI3407-TP 提供了卓越的电气性能,主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以有效降低功率损耗。
  2. 高效率的开关性能得益于较低的栅极电荷(Qg)。
  3. 较快的开关速度,能够支持高频操作,适用于高效率电源转换应用。
  4. 小型封装 TSOP6,节省 PCB 空间,并且具有良好的散热能力。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅工艺制造。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 电池管理系统中的负载开关。
  3. DC-DC 转换器的核心开关元件。
  4. 电机驱动电路中的功率级控制。
  5. 可携式设备和消费电子产品的电源管理解决方案。

替代型号

SI3406DP, SI3404-TP

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SI3407-TP参数

  • 现有数量77,576现货
  • 价格1 : ¥3.26000剪切带(CT)3,000 : ¥0.72122卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)87 毫欧 @ 2.9A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)700 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.3W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3