时间：2025/8/22 16:27:48
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SK95D16N 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高功率密度的场合。这款MOSFET采用了先进的沟槽式栅极技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性。其封装形式为TO-220，适合于多种工业和消费类电子设备的设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：160A
最大漏极-源极电压：95V
导通电阻：约2.8mΩ（在Vgs=10V时）
最大栅极-源极电压：±20V
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-220
SK95D16N MOSFET具备多项优异的电气特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）使其在导通状态下的功耗极低，从而提高了整体系统的效率。
此外，该器件具有较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作，适合用于高功率应用。
SK95D16N 还具备良好的热稳定性，采用了高热导率的封装材料，使得在高温环境下依然能够保持稳定运行。
该MOSFET的栅极驱动特性优化，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗，提高了系统的响应速度。
此外，其耐用的封装设计不仅提供了良好的机械强度，还增强了抗热冲击能力，确保在严苛环境下的长期可靠性。
SK95D16N 常用于各种高功率电子系统中，例如DC-DC转换器、电源管理系统、电动工具、工业电机驱动以及电动车电池管理系统（BMS）等。
由于其高电流容量和低导通电阻，该器件非常适合用于高功率开关电源（SMPS）中的主开关元件。
在电机控制应用中，SK95D16N 可作为H桥电路中的关键开关元件，实现对直流电机或步进电机的高效控制。
此外，该MOSFET也常用于电池供电设备的电源管理模块，提供高效的能量传输和管理方案。
在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，SK95D16N 也因其优异的性能而被广泛采用。
TK95D16K, IRF1404, SiR142DP, SK95D16F
