类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：5.8A @ 25°C
　　导通电阻(RDS(on))：30mΩ @ VGS = 4.5V；55mΩ @ VGS = 2.5V
　　栅极电荷(Qg)：11nC @ 4.5V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：8-SOIC
　　功率耗散(PD)：3.1W

FAN2558S13X-NL具备多项优异特性，首先，其采用的Trench MOSFET技术显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件内置两个N沟道MOSFET，适合用于同步整流、双向负载开关等应用场景，具有高度集成的优势。
　　此外，FAN2558S13X-NL具备较低的栅极电荷（Qg），这有助于降低开关损耗，从而在高频开关应用中保持高效运行。器件的栅极驱动电压支持低至2.5V，兼容多种逻辑电平控制器，增强了设计灵活性。
　　其8-SOIC的小型封装不仅节省空间，而且便于表面贴装，适用于自动化生产流程。同时，该封装具备良好的散热性能，确保器件在高电流工作条件下依然保持稳定。
　　在可靠性方面，FAN2558S13X-NL的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适应多种工业环境，具备出色的热稳定性和抗干扰能力。此外，该器件符合RoHS环保标准，无卤素，符合现代电子产品的绿色制造要求。

FAN2558S13X-NL广泛应用于多个领域，主要包括：DC-DC降压/升压转换器，用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备的电源管理模块；电池管理系统（BMS），作为高效率的充放电控制开关；负载开关电路，用于实现电源域的快速切换与隔离；服务器和通信设备中的电源分配系统，提升整体电源效率；汽车电子系统，如车载充电器和电池保护电路等。
　　此外，由于其低导通电阻和高集成度，该器件也适用于需要高效能和小型化的工业控制系统、电机驱动电路以及智能功率模块（IPM）等应用场景。

Si2302DS, FDS6680, NVTFS5C471NLTAG, FAN2557S13X