SK85MH10T 时间：2025/8/23 13:43:05 阅读：18

SK85MH10T 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET模块，专为高功率密度和高效能应用设计。该模块采用高性能硅技术，支持高电流和高耐压特性，适用于工业电机驱动、电动汽车（EV）、可再生能源系统以及电源管理设备等应用。其封装形式为双列直插式模块（DIP）设计，具备良好的散热性能，适用于需要稳定性和可靠性的苛刻工作环境。

参数

类型：功率MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：100V
　　漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为8.5mΩ
　　封装类型：DIP模块
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　功率耗散（Ptot）：200W
　　短路耐受能力：有
　　封装材料：绝缘型

特性

SK85MH10T具有低导通电阻（Rds(on)）的特性，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其双列直插式模块封装设计不仅便于安装，还提升了散热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。此外，该器件具备较高的短路耐受能力，使其在极端工作条件下仍能保持可靠性。
　　这款MOSFET模块的高栅极电压容限（±20V）增强了其在不同驱动电路中的兼容性，并降低了栅极击穿的风险。该模块的工作温度范围较宽（-55°C至150°C），适用于严苛的工业和车载环境。同时，其优化的硅芯片设计减少了开关损耗，提高了整体能效，适合用于高频开关应用。此外，模块内部采用了先进的热管理技术，确保在大电流工作时的温度控制在安全范围内。

应用

SK85MH10T广泛应用于各种高功率电子系统中，如工业自动化设备中的电机驱动器、电动车的逆变器和充电系统、太阳能逆变器以及高功率电源供应器。在电动汽车领域，该模块可用于车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，以实现高效的能量转换和管理。在工业控制中，SK85MH10T适用于伺服驱动器和变频器等设备，确保系统的高效稳定运行。此外，该模块还可用于UPS（不间断电源）系统和储能系统中，提供高可靠性的功率控制方案。