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W631GG6MB11I 发布时间 时间:2025/8/20 17:03:17 查看 阅读:7

W631GG6MB11I 是 Winbond Electronics(华邦电子)生产的一款 NOR 闪存芯片,具有 1Gbit(128M x 8)的存储容量,支持高性能串行外设接口(SPI)。该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制、网络设备和消费类电子产品中,适用于需要高可靠性和高速读取的场景。

参数

容量:1Gbit (128MB)
  接口类型:SPI
  工作电压:2.7V - 3.6V
  最大时钟频率:133MHz
  读取速度:120MHz
  封装类型:118-TFBGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:8mm x 9mm
  支持 JEDEC 标准

特性

W631GG6MB11I NOR Flash 具备多项高性能和高可靠性的特性。首先,其接口支持标准 SPI 和高级 SPI(如 Dual SPI、Quad SPI),能够实现高速数据传输,适用于对读取速度要求较高的系统设计。其次,该芯片具备卓越的耐用性,擦除和写入操作的寿命可达 100,000 次以上,支持长达十年的数据保持能力,非常适合工业级和高可靠性应用场景。此外,W631GG6MB11I 支持多种安全功能,包括软件和硬件写保护机制,可防止意外数据更改或丢失。其低功耗设计使其在待机模式下消耗极少的电流,适用于便携式设备和低功耗系统。最后,该芯片采用 118-TFBGA 封装,适合高密度 PCB 布局,并符合 RoHS 环保标准。

应用

W631GG6MB11I 主要应用于需要大容量、高速读取和高可靠性的嵌入式系统,例如路由器、交换机、工业控制设备、医疗仪器、车载电子系统、智能家电以及各种消费类电子产品。其高性能 SPI 接口使其适用于运行代码的 XIP(Execute In Place)模式,允许处理器直接从闪存中执行程序,从而节省外部 RAM 的使用。此外,该芯片也常用于固件存储、数据日志记录以及需要安全保护机制的系统设计中。

替代型号

IS25LP1024B-133BUL, S25FL512SAGBHI010

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W631GG6MB11I参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)