您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SK75GD12T7ETE2

SK75GD12T7ETE2 发布时间 时间:2025/8/22 21:01:09 查看 阅读:8

SK75GD12T7ETE2 是一款由 SEMIKRON(赛米控)公司生产的高功率 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,主要用于高功率电子应用,例如工业电机驱动、可再生能源系统和电动汽车等。该模块集成了多个 IGBT 芯片和反并联二极管,提供高效的功率转换和可靠的热管理性能。模块采用了先进的封装技术,确保在高电压和大电流工作条件下的稳定性和耐用性。

参数

类型:IGBT 模块
  拓扑结构:半桥
  额定集电极电流:75A
  额定集电极-发射极电压:1200V
  栅极驱动电压:±15V(典型)
  导通压降:约1.55V(典型值)
  反向恢复时间:约180ns(典型)
  封装类型:SemiX
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  热阻:约0.45K/W(模块到散热器)

特性

SK75GD12T7ETE2 模块具备多项优异的电气和热性能特性,首先,它具有高阻断电压能力,额定电压达到 1200V,能够满足中高功率变换器对电压耐受的需求。其次,其额定集电极电流为 75A,适合用于大功率电机驱动和逆变器设计。模块内置半桥拓扑结构,包含两个 IGBT 单元,一个用于上桥臂,另一个用于下桥臂,便于简化电路设计并提高系统集成度。
  此外,该模块采用了 SEMIKRON 的 SemiX 封装技术,提供了良好的热管理能力,热阻低至约 0.45 K/W,有助于在高负载下保持较低的工作温度,从而提升系统的可靠性。模块的导通压降较低,典型值约为 1.55 V,这有助于降低导通损耗,提高整体效率。
  在动态性能方面,SK75GD12T7ETE2 具有较快的开关速度,反向恢复时间约为 180 ns,适合高频开关应用。同时,其栅极驱动电压为 ±15 V,符合常见的 IGBT 驱动标准,方便与多种驱动电路配合使用。模块的工作温度范围为 -40°C 至 +150°C,适应各种严苛的环境条件,适用于工业自动化、可再生能源逆变系统、电动汽车充电器等多种应用场景。

应用

SK75GD12T7ETE2 广泛应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。例如,在工业领域,该模块常用于变频器、伺服驱动器和不间断电源(UPS)系统中,以实现高效的电机控制和能量转换。在可再生能源领域,SK75GD12T7ETE2 可用于太阳能逆变器和风力发电变流器中,将直流电转换为交流电并馈入电网。此外,在电动汽车领域,该模块可用于车载充电器、电机控制器和直流-直流变换器中,提供稳定可靠的功率开关功能。
  由于其优异的热管理和电气性能,SK75GD12T7ETE2 也适用于需要长时间高负载运行的设备,如焊接电源、感应加热装置和储能系统。其紧凑的封装设计也有助于减少整体系统的体积和重量,提升设备的集成度和便携性。

替代型号

SKM75GB12T4、FS75R12KT4_B11、FF75R12KS4_B11

SK75GD12T7ETE2推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价