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SK75GD12T4 发布时间 时间:2025/8/22 17:41:13 查看 阅读:7

SK75GD12T4是一款由Semikron(赛米控)公司生产的IGBT模块,属于功率半导体器件,广泛应用于工业电机驱动、变频器、UPS(不间断电源)以及电力电子变换器等领域。该模块集成了IGBT(绝缘栅双极晶体管)和反并联二极管,采用双列直插式(DIP)封装,适用于需要高可靠性和紧凑结构的功率系统设计。

参数

额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):75A
  短路耐受电流:150A
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  封装类型:DIP
  栅极驱动电压范围:±20V
  最大耗散功率:160W

特性

SK75GD12T4具有优异的热性能和高功率密度,适用于多种电力电子变换应用。该模块内部集成了IGBT和反向恢复二极管,有助于减少外部电路的复杂度。其DIP封装设计便于安装和散热管理,适合在紧凑型功率设备中使用。模块采用了优化的芯片布局和材料,提升了导通损耗和开关损耗的平衡,适用于高频开关应用。此外,SK75GD12T4具备较高的短路耐受能力,增强了系统的可靠性和安全性。
  该模块的封装结构具备良好的机械强度和绝缘性能,能够承受较高的工作电压和电流应力。其内部引线设计减少了寄生电感,有助于降低开关过程中的电压尖峰,提高系统的稳定性。模块的热阻较低,能够有效传导热量,延长器件的使用寿命。此外,SK75GD12T4支持多种驱动方式,包括单电源和双电源驱动,适用于不同应用场景下的控制需求。
  在电气性能方面,SK75GD12T4具有较低的饱和压降(Vce_sat),从而减少了导通损耗,并提高了系统的整体效率。同时,其栅极驱动电压范围较宽,便于与各种驱动电路兼容。该模块在设计上充分考虑了EMI(电磁干扰)抑制措施,有助于降低高频开关过程中产生的噪声,提升系统的电磁兼容性。

应用

SK75GD12T4主要用于中等功率级别的变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电焊机和工业自动化设备等。由于其具备较高的集成度和良好的性能指标,该模块也适用于对空间和效率要求较高的新能源汽车充电设备、储能系统以及智能电网相关设备中。在工业电机控制领域,SK75GD12T4可作为主功率开关,用于实现高效的能量转换和精确的电机控制。

替代型号

SKM75GB12T4, FZ75R12KT4_B11, FS75R12KT4_B11

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